Флеш память в телефоне что это такое


Ремонт и замена флеш-памяти

В современном мире телефон давно вышел за рамки простого средства связи и стал одним из атрибутов практически любого человека. Рынок полон смартфонами в самых разных ценовых категориях, так что позволить себе современный девайс могут многие жители планеты. Однако, как и любая техника, даже самые хорошие телефоны имеют свой эксплуатационный ресурс и со временем требуют ремонта.

Для многих пользователей смартфонов однажды становится актуальным вопрос ремонта или замены флеш-памяти – одного из важнейших узлов современных мобильных устройств. Все известные бренды на данный момент используют в качестве хранилища памяти используют чипы eMMC, eMCP. Что это такое? Это микросхема энергонезависимой памяти, не стоит путать с картой памяти, либо с USB-флеш-накопителем. Благодаря компактности, универсальности, механической прочности, скорости работы и большому объемы памяти данная микросхема стала популярна в изготовлении цифровой техники. Но есть и слабые стороны: относительно не долгий срок эксплуатации и чувствительность к электростатическому заряду.

Основные причины выхода из строя:

  • механические повреждения устройства(падения)
  • попадание жидкости в гаджет
  • заводской дефект
  • естесственный износ

Признаки необходимости ремонта флеш-памяти

Когда становится понятно, что необходимо отправиться в сервисный центр? Если телефон значительно подтормаживает и подвисает, работает нестабильно, перегружается без причины, не сохранияет либо не позволяет удалить данные, висит на заставке – это может быть верный признак того, что пора озаботиться вопросом ремонта смартфона и диагностики на предмет исправности флеш-памяти. Впрочем, нельзя со 100% уверенностью сказать, что вышеозначенные проблемы однозначно связаны с неполадками в работе чипа – достоверная причина будет ясна только после профессиональной диагностики. А вот если девайс просто выключился и никак не реагирует на кнопку включения (при условии, что он заряжен) – это большая вероятность того, что flash-память вышла из строя. Частой причиной такой поломки является неудачная схема электропитания в конкретной модели телефона.

Подводные камни ремонта микрочипа памяти

Стоит обратить внимание на то, что традиционно единственной опцией, которую вам предложат в авторизированном сервисном центре будет замена системной платы (замена нерабочего узла на рабочий). Это связано с политикой многих компаний-производителей, запрещающей вмешательство в чипы, способное значительно удешевить ремонт. В итоге, мы имеем замененную плату и «заоблачную» стоимость починки. Это достаточно дорогостоящий вид ремонта, который подчас может составлять до 70% стоимости агрегата. Такой путь устраивает далеко не каждого собственника.

Многие сервисные центры «попроще» предлагают более дешевые варианты ремонта. Как правило, данный ремонт связан с нагревом микросхем и имеет непродолжительный эффект.

Владельцу гаджета необходимо помнить, что замена чипа флеш-памяти – процедура достаточно сложная и высокоточная, которая требует профессиональных навыков и специализированного оборудования.

Как происходит замена флеш-памяти?

Процесс замены осуществляется в несколько этапов. Вначале произведения замены необходимо разобрать телефон и выпаять чип при соблюдении некоторых технически сложных требований. Далее подготавливается новый чип: прошивается и аккуратно формируются шарики припоя. После этого чип устанавливается на плату. Последним этапом при помощи особого программатора на агрегат устанавливается прошивка. Если работы выполнял квалифицированный мастер, после сборки и тестирования телефон будет полностью готов к эксплуатации и характеристики его работы нисколько не ухудшатся. Напротив, путем замены flash-memory можно увеличить память устройства.

Отдав предпочтение замене flash-памяти вместо замены платы, владелец девайса часто остается в выигрыше и в материальном, и в техническом плане.

С телефонами марок Huawei, Samsung, HTC, LG, Lenovo и других популярных брендов поиск адекватного мастера и заказ услуги по замене флеш-памяти не составит почти никакого труда, а вот владельцам iPhone в этом плане придется сильно постараться – мало кто берется за высокоточный ремонт сложной «яблочной» техники. И стоит иметь в виду – если микрочип памяти на iPhone полностью вышел из строя, замена выполняется с помощью 3-4 микросхем попутно (зависит от конкретной модели) и из-за этого может стоить даже дороже, чем замена платы.

Почему стоит доверить замену флеш-памяти сервис-центру ge store 

  • Наличие профессионального оборудование и качественных запчастей
  • Оперативное исполнение данной работы
  • Огромный опыт работы компетентных инженеров в этой области
  • Привлекательные цены
  • И конечно предоставление гарантии на работы и запчасти

18.05.2017 17:07

service.gestore.ru

Flash память в телефоне - MobiService Минск, Уручье.

Эта статья должна дать четкое представление что такое flash память в телефоне и зачем она нужна. Я потрачу немного времени и расскажу про нее, что знаю. Вы прочтите, потому что редко от мастера увидишь такие статьи. Их пишут, как правило, те кто не разбирается в вопросе)).

Flash память что это?

В любом современном смартфоне и планшете есть внутренняя память. Это знаете как на «русском» языке? Лежит USB флешка в кармане и на ней хранятся фотографии, документы. А когда мы ее подключим к компьютеру или ноутбуку, то увидим содержимое. Тем самым микросхема флеш-памяти содержит и хранит наши файлы. Друзья, не путайте ее с micro SD карточкой памяти (внешняя карта памяти). Чип флеш памяти изображен на рисунке 1.

Рисунок 1

Рисунок 2

Такая микросхема имеет разные размеры — форм-фактор, разный объем памяти. Есть флеш память 8 Гб, флеш память 16 Гб, флеш память 32 Гб и флеш память 64 Гб. Но прогресс, как говорится, на месте не стоит. Уже в новых смартфонах внутренняя flash память достигает 1 Тб объема хранимой информации. Но мы давайте, остановимся на том что имеем. Что на данный момент является проблемой, носящей распространенный характер.

Производители мобильных телефонов и планшетов повсеместно начали оснащать таким чипом свои девайсы. Началось это примерно с 2013 года. Раньше применялась nand память (Рисунок 2). Причиной смены явились: скорость передачи информации, размер накопителя. Не стоит забывать, что у flash памяти eMMC свой внутренний контроллер. Он отвечает за распределение и хранение ваших файлов. А у nand чипов эту роль выполнял процессор устройства. Да и техника наша с вами постоянно совершенствуется.

В сервисе разводят руками и говорят: «Сгорела плата в телефоне», примерно так.

Для микросхем флеш памяти eMMC ресурс работы около 3 лет. Как показывает практика, работают и по 7 лет. Вот пришло то время когда вроде бы смартфон по характеристикам еще должен работать, а тут выключился. И вот несете в сервис прошить телефон, ну или планшет. В сервисе разводят руками и говорят: «Сгорела плата в телефоне», примерно так. Это если уровень знаний недостаточный у инженера. Квалифицированный мастер всегда точно определит причину поломки телефона. Т.е. понятия «сгорела плата» и «сгорела микросхема памяти» разные.

Почему я хочу поставить акцент на этот аспект? Потому что флеш память меняется отдельно и дешевле за стоимость замены платы. С некоторой стороны заменить плату выгоднее, чем тратить время на ремонт. А самое главное, мастеров, умеющих менять отдельно flash память на пальцах можно пересчитать. Учитывайте, что плату вам установят с другого такого же телефона. То есть вы получаете кота в мешке. Где гарантии что ресурс не выработан у чипа, что стоит на ней?

Не будем останавливаться на компетентности сотрудников различных сервисов. Остановимся на том как определить что пора менять чип.

Когда нужна замена flash памяти.

А как узнать? Легко. Я пишу вам симптомы, а вы выбираете свой пункт и все становится на свои места)).

  1. Не сохраняются файлы в телефоне или планшете. Естественно все моменты связанные с глюками компьютера опускаем))). Это просто, вот вы подключили устройство к ноутбуку, открыли папку и копируете файл, а он не копируется. Ну или копируется, но не появляется. А еще лучше фото сделали камерой, а оно не сохранилось.
  2. Приложение будет остановлено. Знакомо? Еще каааак, не то чтобы злорадствую, но это распространенная причина. Любое приложение, работало и дало сбой, не связанный с работой операционной системы. Значит как по фиксить: — заходим в настройки — приложения. Ищем свое приложение и чистим кэш. Если повторяются ошибки, то — удаляем приложение и переустанавливаем его вновь. Не помогло…

    — сохраняем все важные фотографии, контакты, записи и делаем сброс к заводским установкам. Внимание!!!Имейте в виду, что удалится вся информация!

  3.  Перезагружаться стал и в последнее время все чаще. Если исключить случаи с «уставшим» аккумулятором или проблемой питания, то замена. Играете в игрушку, серфите браузер…БАХ…выключается телефон или планшет и включается заново. 
  4. Выключился смартфон. Вот вроде был компьютер пиликает …иногда…когда подключили  к нему телефон, но ничего не происходит. Батарейка заряжена. Вот тут беда. Тут уже поможет диагностика от квалифицированного мастера.

Почему сгорела флеш память?

Вот все вышеперечисленные пункты происходят от чего. Информация во флеш памяти как говорилось выше распределяется по адресам  и в них хранится. Вот вы файлик сохранили в телефоне, это файлик в соответствии с таблицей файловой системы разносится по разным адресам. А нашли старую фотографию, удалили ее с телефона, осталось место свободное, следующий файл будет заполнять это место.

Это как сиденье в автобусе на котором мы сидим ежедневно. Одно мягкое место посидело, ушло, второе пришло… Вот стирается обивка и приходит в негодность. Тоже самое и с ячейком (адресом), со временем она становится медленной. Потом вовсе нельзя на ней хранить 0 или 1.

Контроллер ее помечает неисправной и пересчитывает на другие адреса. В итоге мы имеем большое количество ошибок и сбои в работе. А глобально, вот вы, например, телефон постоянно включаете и выключаете. Это сказывается на области Flash памяти где хранится прошивка телефона. Вовсе перестает включаться и да: «сгорела флеш память». Вот откуда это понятие))).

А вот интересный момент, так сказать яркий пример. У одного моего постоянного клиента упал телефон Xiaomi. После падения перезагружается. Батарейку не снять, нет инструмента. Он его по заряжал, кинул в сторону и взял другой телефон на время. Через месяц дошел до нас только)). Сняли мы микросхему памяти, проверяем ее специальным программатором flash памяти. Износ превысил 80%. Ну тут вроде бы понятно, удар видимо это как оправдание неисправности. У кого ж телефон не падает? Правда? А не тут то было. Мы вычитали и достали файлы (кстати есть статья про извлечение файлов из памяти). Не путайте с понятием восстановление удаленных файлов. Заменили новую память, включаем телефон, а он перезагружается. Друзья, проблема оказалась в том, что после удара нарушилась в процессоре пайка, и вся проблема из-за контакта. А память страдала-страдала, да и выстрадала. 

Достать файлы из флеш памяти.

Ну раз уже задели тему извлечения, давайте остановимся. Важно понять, что в последнее время производители телефонов стали шифровать данные пользователя. Это зависит и от операционной системы, например, с версии android 7.0 уже раздел с файлами ваши зашифрован. Ну или пользователь сам может зашифровать свой аппарат.  Люди часто звонят и спрашивают, вот сгорела плата, как извлечь фото из андроид моего. Вот если не зашифровано ничего, то решаемо. Просто процедуры извлечения разные, от простых до трудоемких способов. Для таких случаев в основном флеш память выпаивается и через программатор флеш памяти считывается содержимое. Такие программаторы стоят больших денег. Поэтому и цена на такие работы дорогая. Всегда помните, что принеся неквалифицированным ребятам свой аппарат, по сути вы станете как минер… ))) Ошибается единожды. Раскурочат, сломают напополам флеш память и пиши пропало. В общем думайте сами)).

Почему надо менять флеш память.

В первую очередь, есть новые микросхемы еще в доступе. Либо микросхемы снятые  когда-то с бракованных по другим причинам плат в телефонах. Это плюс, новый чип — новая жизнь. А знаете, что можно варьировать объемом флеш памяти? Вот стояла у вас микросхема на 4 Гб, а мы можем поставить на 16 Гб. И все буде отлично и без нареканий работать. Плюс ко всему ж есть гарантия 4 месяца. А, как правило, по опыту, если работает, то уже работает. На ближайшие минимум 2-3 года вы обеспечены работой девайса.

Кстати, любим делать фото работ «До» и «После». Есть и в instagram фото и в профиле на онлайнере в Услугах. В общем, как говорится, себя не похвалишь, никто не похвалит))).Там можно посмотреть кое-чего для ликбеза. 

Замена flash памяти в телефоне и планшете.

А знаете что? Сейчас мы с вами поменяем память в…..в…а пусть в Huawei P8 lite. 

Итак, берем аппарат, вскрываем его и извлекаем из устройства системную плату. Это то про что выше упоминалось: «Сгорела плата» ))

Ставим ее в держатель для плат. Нужно для ее фиксации, чтобы она была неподвижной. И феном ее выпаиваем. Выпаиваем так, чтобы не повредить сам чип и рядом стоящие не перегреть, а это Мастерство!!! Повредить ее нельзя, потому что оттуда нужны фотографии хозяйке телефона. 

Вот мы микросхему выпаяли и подготовили для установки в сокет для чтения программатором флеш памяти ее содержимого.

Поставили в сокет и она прочиталась. На следующем рисунке особо внимательные читатели этой статьи обратят внимание. Версия прошивки 5.0, т.е. телефон не включался, а драгоценные фотографии мы хозяйке достанем.

После всего этого возьмется другая микросхема, рабочая. Мы ее установим и восстановим программное обеспечение телефону. Но это уже другая история)). 

Также читайте: «Замена флеш памяти»

mobi-service.by

Замена флеш-памяти в телефоне

Здравствуйте уважаемые посетители сайта!

В последнее время становятся актуальными вопросы ремонта телефонов и планшетов по замене флеш-памяти. Широкий ряд производителей мобильных телефонов и планшетов  используют чипы eMMC, eMCP.

Уже в одной из статей приходилось останавливаться на данном вопросе и приводилось ряд примеров по методологии замены.

Данный вид ремонта мобильных телефонов и планшетов не используется политикой этого производителя.

Что это значит? Если Ваш будь-то Samsung Galaxy серии или Huawei и т.п. сломался с признаками полного «трупа». Если начинает сам перезагружаться и андроид работает нестабильно. Обратитесь в авторизованный сервис, все чем Вам смогут помочь, это предложить так называемую SWAP замену.  Это замена неисправного узла на исправный, а в телефоне это печатная плата.

Таким образом на выходе мы имеем замененную плату в телефоне и потолочную стоимость ремонта. Именно такой вид ремонта, как правило, составляет до 80% стоимости телефона или планшета. Естественно, это очень дорогой вид ремонта. Есть более экономичные варианты ремонта связанных с еММС (флеш памяти). Предлагается производить замену флеш-памяти отдельно, оставляя в дальнейшем работать печатную плату. Не стоит пугаться, что телефон/планшет уже не будет так хорошо работать как раньше. Это МИФ!!!

Мы обладаем большим опытом ремонта по замене микросхем флеш-памяти достаточно давно. С этим видом работ пришлось работать вплотную с 2012 года. По опыту могу сказать, что не нужно спешить с решением по замене платы. Эта статья и ориентирована на то чтобы сократить Ваши расходы на ремонт устройства. На выходе такое же работоспособное состояние телефона как и в случае SWAP замены. Тогда зачем платить больше?

Чтобы исключить как можно больше вопросов, предлагаю рассмотреть некоторые тонкие моменты по замене микросхем. Также и от чего зависит стоимость оказанных работ по замене флеш-памяти.

Замена флеш-памяти в телефоне Samsung

Данный вид работ оказывается на все устройства от производителя, до модели Samsung Galaxy S6 SM-G920. Почему? С новой линейки устройств серии Galaxy используется в качестве внутренней памяти микросхема UFS. На данный момент работа с микросхемой невозможна из ряда технологических особенностей реализации и организации обмена передачи данных с процессором. Остальные серии фирмы Samsung восстанавливаются со 100%  успехом.

Замена флеш-памяти в телефоне HTC

Относительно старые модели, такие как HTC Desire X, HTC Desire 610 и им подобные. На них полноценно поддерживаются замена микросхемы. Начиная с выпуска моделей серии HTC One M7 и позже есть ряд тонких моментов. Важен факт того что флеш-память в устройстве не «умерла» окончательно, чтобы была возможность считать важную информацию.

Замена флеш-памяти в телефоне LG

Хотелось бы сказать, что с этими устройствами все намного проще в плане ремонта. На всей линейке до LG D955 полноценно осуществляется замена микросхемы памяти. На данный момент актуальна модель LG Nexus 5 очень много сделали телефонов с такой проблемой. Производитель в телефон устанавливает флеш-память фирмы «SanDisk». Исходя из опыта, микросхема отнюдь не высокого качества.  Пример демонтажа микросхемы с платы телефона LG Nexus 5x

Замена флеш-памяти в телефоне Nokia

Замена чипа памяти в плате телефонов Nokia Lumia 520, Nokia Lumia 525, Nokia Lumia 610, Nokia Lumia 625, Nokia Lumia 720, Nokia Lumia 800, Nokia Lumia 820, Nokia Lumia 920, Nokia Lumia 925, Nokia Lumia 1320 и т.д. Компания Nokia использует защиту, сертификационные данные. Без них при замене новой флеш-памяти телефон будет работать без мобильной сети. Важен факт того, что хотя бы есть маленькая, но вероятность прочесть данные с умирающей микросхемы. Пример замены еММС чипа памяти в телефоне Nokia Lumia 925.

Замена флеш-памяти в телефонах Meizu, Xiaomi

Интересный факт обнаружен в линейке Meizu MX. Не все так просто, в частности остановлюсь на моделях MX4, MX5. Если Вы получили «кирпич» или вышла из строя флеш-память, с уверенности скажу, что предположительно, возможна все же замена чипа или восстановление  прошивки. Под каждую модель производитель шифрует и добавляет файл авторизации для прошивки, это замечено для устройств на базе процессора МТК6595, МТК6795. Это давно уже не секрет, впрочем информацию можно прочитать на любом тематическом форуме, к примеру, на «4ПДА».

Замена флеш-памяти в Iphone

С данным типом устройств мы не работаем в этом плане оказания услуг. Но в качестве профессионального «ликбеза» пару главных моментов, которые стоит учесть «прошаренному» пользователю девайса, расскажу)). В последнее время наши «заморские» друзья китайцы предлагают относительно недорогие услуги по замене микросхем с объема 16GB на любые более емкие микросхемы 32GB, 64Gb и больше. Такой вид работ уже начинают делать и наши некоторые сервисы города. Если флеш-память умерла окончательно в вашем Iphone 5, 5s, 6, 6s, то замена осуществляется тремя микросхемами и процесс дорогостоящий, иногда проще принять решение на замену платы.

Замена флеш-памяти в телефонах Huawei, ZTE, Lenovo

Сталкиваться с диагнозом выход из строя флеш-памяти на данных телефонах и планшетах доводится чаще. Владельцы модели Huawei G300 U8815 — это одни из самых первых аппаратов, знают. Телефон просто выключали или перезагружали, а он уже не включался. Да, к сожалению это действительно имеет место. Вопрос был отработан настолько до автоматизма, что на этой модели мастера сразу без диагностики производили замену чипа памяти (есть одно условие, но мы его опустим, так называемый профессиональный секрет, который знать не каждый должен=))). В моделях телефонов линейки Huawei G600, Huawei G610 и им подобные, также Lenovo P780, Lenovo S820 и их ровесникам, ZTE от X Quard И ZTE Memo флеш-память менятся с о 100% успехом и по стоимости гораздо дешевле чем менять плату. Опять же момент, что последние выпускаемые модели, к примеру, Lenovo Vibe x2 с заменой также не так так хорошо как хотелось бы, есть ряд нюансов как и у Meizu MX4.

Вывод

Технический процесс не стоит на месте, а растет очень стремительно. Производители то и дело стремятся защитить свои устройства от вмешательства посторонних рук)). Но, как говорится: «На любую хитрую гайку найдется свой хитрый болт».

Статья носит исключительно информационный характер, основана на наблюдениях и личном опыте.

Поэтому Друзья, берегите свои любимые дейвасы, и ремонтируйте их только в мастерских с хорошей репутацией, с грамотными и умелыми людьми. Выбор есть всегда. Всем удачи!

mobi-service.by

Флеш память - это... Что такое Флеш память?

Сюда перенаправляется запрос Флэш-карты. На тему «Флэш-карты» нужна отдельная статья. USB-накопитель на флеш‐памяти

Флеш‐память (англ. Flash-Memory) — разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти.

Она может быть прочитана сколько угодно раз, но писать в такую память можно лишь ограниченное число раз (максимально — около миллиона циклов[1]). Распространена флеш-память, выдерживающая около 100 тысяч циклов перезаписи — намного больше, чем способна выдержать дискета или жёстких дисков, более надёжна и компактна.

Благодаря своей компактности, дешевизне и низком энергопотреблении флеш‐память широко используется в портативных устройствах, работающих на батарейках и аккумуляторах — цифровых фотокамерах и видеокамерах, цифровых диктофонах, MP3-плеерах, КПК, мобильных телефонах, а также смартфонах и коммуникаторах. Кроме того, она используется для хранения встроенного программного обеспечения в различных устройствах (маршрутизаторах, мини‐АТС, принтерах, сканерах), различных контроллерах.

Так же в последнее время широкое распространение получили «флешка», USB‐драйв, USB‐диск), практически вытеснившие дискеты и CD. Одним из первых флэшки JetFlash в 2002 году начал выпускать тайваньский концерн SSD накопителей объёмом 256 ГБ и более.

Ещё один недостаток устройств на базе флеш‐памяти по сравнению с жёсткими дисками — как ни странно, меньшая скорость. Несмотря на то, что производители SSD накопителей заверяют, что скорость этих устройств выше скорости винчестеров, в реальности она оказывается ощутимо ниже. Конечно, SSD накопитель не тратит подобно винчестеру время на разгон, позиционирование головок и т. п. Но время чтения, а тем более записи, ячеек флеш‐памяти, используемой в современных SSD накопителях, больше. Что и приводит к значительному снижению общей производительности. Справедливости ради следует отметить, что последние модели SSD накопителей и по этому параметру уже вплотную приблизились к винчестерам. Однако, эти модели пока слишком дороги.

Принцип действия

Программирование флеш-памяти

Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (англ. cell). В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками (англ. single-level cell, SLC), каждая из них может хранить только один бит. Некоторые новые устройства с многоуровневыми ячейками (англ. multi-level cell, MLC) могут хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе транзистора.

NOR

В основе этого типа флеш-памяти лежит ИЛИ‑НЕ элемент (англ. NOR), потому что в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу.

Транзистор имеет два затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен удерживать электроны до 10 лет. В ячейке имеются также сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создаётся электрическое поле и возникает туннельный эффект. Некоторые электроны туннелируют через слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут пребывать. Заряд на плавающем затворе изменяет «ширину» канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении.

Программирование и чтение ячеек сильно различаются в энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи, тогда как при чтении затраты энергии малы.

Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.

В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND архитектуры.

NAND

В основе NAND типа лежит И-НЕ элемент (англ. NAND). Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.

NAND и NOR архитектуры сейчас существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных.

История

Флеш-память была изобретена Фудзи Масуока (Fujio Masuoka), когда он работал в 1984 году. Имя «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзи, Сёдзи Ариизуми (Shoji Ariizumi), потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash). Масуока представил свою разработку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско, Калифорния. 1988 году выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR-типа.

NAND-тип флеш-памяти был анонсирован Toshiba в 1989 году на International Solid-State Circuits Conference. У него была больше скорость записи и меньше площадь чипа.

На конец 2008 года, лидерами по производству флеш-памяти являются Samsung (31% рынка) и Toshiba (19% рынка, включая совместные заводы с Sandisk). (Данные согласно iSupply на Q4'2008). Стандартизацией чипов флеш-памяти типа NAND занимается Open NAND Flash Interface Working Group (ONFI). Текущим стандартом считается спецификация ONFI версии 1.0[2], выпущенная 28 декабря 2006 года. Группа ONFI поддерживается конкурентами Samsung и Toshiba в производстве NAND чипов: Hynix и Micron Technology.[3]

Характеристики

Скорость некоторых устройств с флеш-памятью может доходить до 100 Мб/с[4]. В основном флеш-карты имеют большой разброс скоростей и обычно маркируются в скоростях стандартного CD-привода (150 КБ/с). Так указанная скорость в 100x означает 100 × 150 КБ/с = 15 000 КБ/с= 14.65 МБ/с.

В основном объём чипа флеш-памяти измеряется от килобайт до нескольких гигабайт.

В 2005 году SanDisk представили NAND чипы объёмом 1 ГБ[5], выполненные по технологии многоуровневых ячеек, где один транзистор может хранить несколько бит, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе.

Компания Samsung в сентябре 2006 года представила 8 ГБ чип, выполненный по 40-нм технологическому процессу[6]. В конце 2007 года Samsung сообщила о создании первого в мире MLC (multi-level cell) чипа флеш-памяти типа NAND, выполненного по 30-нм технологическому процессу. Ёмкость чипа также составляет 8 ГБ. Ожидается, что в массовое производство чипы памяти поступят в 2009 году.

Для увеличения объёма в устройствах часто применяется массив из нескольких чипов. К 2007 году USB устройства и карты памяти имели объём от 512 МБ до 64 ГБ. Самый большой объём USB устройств составлял 4 ТБ.

Файловые системы

Основное слабое место флеш-памяти — количество циклов перезаписи. Ситуация ухудшается также в связи с тем, что ОС часто записывает данные в одно и то же место. Например, часто обновляется таблица файловой системы, так что первые сектора памяти израсходуют свой запас значительно раньше. Распределение нагрузки позволяет существенно продлить срок работы памяти.

Для решения этой проблемы были созданы специальные файловые системы: JFFS2[7] и YAFFS[8] для GNU/Linux и Microsoft Windows.

SecureDigital и FAT.

Применение

Флеш-карты разных типов (спичка отображена для оценки размеров)

Флеш-память наиболее известна применением в USB флеш-носителях (англ. USB flash drive). В основном применяется NAND тип памяти, которая подключается через USB по интерфейсу USB mass storage device (USB MSC). Данный интерфейс поддерживается всеми ОС современных версий.

Благодаря большой скорости, объёму и компактным размерам USB флеш-носители полностью вытеснили с рынка дискеты. Например, компания 2003 года перестала выпускать компьютеры с дисководом гибких дисков[9].

В данный момент выпускается широкий ассортимент USB флеш-носителей, разных форм и цветов. На рынке присутствуют флешки с автоматическим шифрованием записываемых на них данных. Японская компания Solid Alliance даже выпускает флешки в виде еды[10].

Есть специальные дистрибутивы GNU/Linux и версии программ, которые могут работать прямо с USB носителей, например, чтобы пользоваться своими приложениями в интернет-кафе.

Технология Windows Vista способна использовать USB-флеш носитель или специальную флеш-память, встроенную в компьютер, для увеличения быстродействия[11]. На флеш-памяти также основываются карты памяти, такие как SecureDigital (SD) и Memory Stick, которые активно применяются в портативной технике (фотоаппараты, мобильные телефоны). Вкупе с USB носителями флеш-память занимает большую часть рынка переносных носителей данных.

NOR тип памяти чаще применяется в BIOS и ROM-памяти устройств, таких как DSL модемы, маршрутизаторы и т. д. Флеш-память позволяет легко обновлять прошивку устройств, при этом скорость записи и объём для таких устройств не так важны.

Сейчас активно рассматривается возможность замены жёстких дисков на флеш‑память. В результате увеличится скорость включения компьютера, а отсутствие движущихся деталей увеличит срок службы. Например, в XO-1, «ноутбуке за 100 $», который активно разрабатывается для стран третьего мира, вместо жёсткого диска будет использоваться флеш-память объёмом 1 ГБ[12]. Распространение ограничивает высокая цена за ГБ и меньший срок годности, чем у жёстких дисков из-за ограниченного количества циклов записи.

Типы карт памяти

Существуют несколько типов карт памяти, используемых в портативных устройствах:

MMC (MultiMedia Card): карточка в формате MMC имеет небольшой размер — 24×32×1,4 мм. Разработана совместно компаниями SanDisk и Siemens. MMC содержит контроллер памяти и обладает высокой совместимостью с устройствами самого различного типа. В большинстве случаев карты MMC поддерживаются устройствами со слотом SD.

RS-MMC (Reduced Size MultiMedia Card): карта памяти, которая вдвое короче стандартной карты MMC. Её размеры составляют 24×18×1,4 мм, а вес — около 6 г, все остальные характеристики не отличаются от MMC. Для обеспечения совместимости со стандартом MMC при использовании карт RS-MMC нужен адаптер. DV-RS-MMC (Dual Voltage Reduced Size MultiMedia Card): карты памяти DV-RS-MMC с двойным питанием (1,8 и 3,3 В) отличаются пониженным энергопотреблением, что позволит работать мобильному телефону немного дольше. Размеры карты совпадают с размерами RS-MMC, 24×18×1,4 мм. MMCmicro: миниатюрная карта памяти для мобильных устройств с размерами 14×12×1,1 мм. Для обеспечения совместимости со стандартным слотом MMC необходимо использовать переходник.

SD Card (Secure Digital Card): поддерживается фирмами Panasonic и SD (Trans-Flash) и SDHC (High Capacity): Старые карты SD так называемые Trans-Flash и новые SDHC (High Capacity) и устройства их чтения различаются ограничением на максимальную ёмкость носителя, 2 ГБ для Trans-Flash и 32 ГБ для High Capacity (Высокой Ёмкости). Устройства чтения SDHC обратно совместимы с SDTF, то есть SDTF карта будет без проблем прочитана в устройстве чтения SDHC, но в устройстве SDTF увидится только 2 ГБ от ёмкости SDHC большей ёмкости, либо не будет читаться вовсе. Предполагается, что формат TransFlash будет полностью вытеснен форматом SDHC. Оба суб-формата могут быть представлены в любом из трёх форматов физ. размеров (Стандартный, mini и micro). miniSD (Mini Secure Digital Card): От стандартных карт Secure Digital отличаются меньшими размерами 21,5×20×1,4 мм. Для обеспечения работы карты в устройствах, оснащённых обычным SD-слотом, используется адаптер. microSD (Micro Secure Digital Card): являются на настоящий момент (2008) самыми компактными съёмными устройствами флеш-памяти (11×15×1 мм). Используются, в первую очередь, в мобильных телефонах, коммуникаторах, и т. п., так как, благодаря своей компактности, позволяют существенно расширить память устройства, не увеличивая при этом его размеры. Переключатель защиты от записи вынесен на адаптер microSD-SD.

MS Duo (Memory Stick Duo): данный стандарт памяти разрабатывался и поддерживается компанией MS Duo (Memory Stick Duo): Данный формат является конкурентом формата microSD (по аналогичному размеру), сохраняя преимущества карт памяти Sony.

xD-Picture Card: используются в цифровых фотоаппаратах фирм Fuji и некоторых других.

Примечания

См. также

  • Универсальный флеш-накопитель
  • Charge Trap Flash
  • MRAM
  • SSD

Ссылки

dic.academic.ru

Принцип работы и устройство флеш-памяти

В этой статье мы с Вами поговорим о том, что положено в основу создания и по какому принципу работает устройство флэш-памяти (не путайте с USB флэш-накопителями и картами памяти). Кроме этого, вы узнаете о ее преимуществах и недостатках перед другими типами ПЗУ (постоянно запоминающими устройствами) и познакомитесь с ассортиментом самых распространенных накопителей, которые содержат в себе флэш-память.

Основное достоинство этого устройства в том, что оно энергонезависимое и ему не нужно электричество для хранения данных. Всю хранящуюся информацию во флэш-памяти можно считать бесконечное количество раз, а вот количество полных циклов записи к сожалению ограничено.

Флэш-память (flash memory) — относится к полупроводникам электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Благодаря техническим решениям, не высокой стоимости, большому объему, низкому энергопотреблению, высокой скорости работы, компактности и механической прочности, флэш-память встраивают в цифровые портативные устройства и носители информации.

У флэш-памяти перед другими накопителями (жесткие диски и оптические накопители) типа ПЗУ есть как свои преимущества, так и свои недостатки, с которыми вы можете познакомиться из таблицы расположенной ниже.

Тип ПЗУПреимуществаНедостатки
Жесткий дискБольшой объем хранимой информации.

Высокая скорость работы.

Дешевизна хранения данных (в расчете на 1 Мбайт).

Большие габариты.

Чувствительность к вибрации.

Тепловыделение.

Шум.

Оптический дискУдобство транспортировки.

Дешевизна хранения информации.

Возможность тиражирования.

Небольшой объем.

Нужно считывающее устройство.

Ограничения при операциях (чтение, запись).

Невысокая скорость работы.

Чувствительность к вибрации.

Шум.

Флэш-памятьВысокая скорость доступа к данным.

Экономное энергопотребление.

Устойчивость к вибрациям.

Удобство подключения к компьютеру.

Компактные размеры.

Ограниченное количество циклов записи.

Сегодня никто не сомневается в том, что флэш-память будет продолжать укреплять свои позиции в информационных технологиях, особенно в линейке мобильных устройств (КПК, планшеты, смартфоны, плееры). На основе флэш-памяти работают самые востребованные и популярные USB флэш-накопители и сменные карты памяти для электронных устройств (SD, MMC, miniSD…).

Карты памяти, как и USB накопители не стоят в стороне, а привлекают внимание потенциальных покупателей своим многообразием. От такого изобилия запоминающих устройств выигрывает только производитель, а потребитель испытывает ряд неудобств.  Ведь всем нам знакомы такие ситуации, когда телефону нужна одна карта, КПК другая, фотоаппарату третья.  Такой ассортимент накопителей на руку производителям, потому что они извлекают из широкой эксклюзивной продажи большую выгоду. Вот небольшой список распространенных накопителей с флэш-памятью:

  • Compact Flash Type I (CF I)/Type II (CF II);
  • Memory Styck (MS Pro, MS Duo);
  • Secure Digital (SD);
  • miniSD;
  • xD-Picture Card (xD);
  • MultiMedia Card (MMC).
  • USB Flash Drive.

В одной из публикаций я писал о том как выбрать USB-флеш-накопитель, а о том как выбрать карту в формате SD (microSD, miniSD) читайте здесь.

Принцип работы флэш-памяти.

Элементарной ячейка хранения данных флэш-памяти представляет из себя транзистор с плавающим затвором. Особенность такого транзистора в том, что он умеет удерживать электроны (заряд). Вот на его основе и разработаны основные типы флэш-памяти NAND и NOR. Конкуренции между ними нет, потому что каждый из типов обладает своим преимуществом и недостатком. Кстати, на их основе строят гибридные версии такие как DiNOR и superAND.

Во флэш-памяти производители используют два типа ячеек памяти MLC и SLC.

  • Флэш-память с MLC (Multi-level cell — многоуровневые ячейки памяти)ячейки более емкие и дешевые, но они с большим временем доступа и меньшим количеством циклов записи/стирания (около 10000).
  • Флэш-память, которая содержит в себе SLC (Single-level cell — одноуровневые ячейки памяти) ячейки имеет максимальное количество циклов записи/стирания(100000) и обладают меньшим временем доступа.

Изменение заряда (запись/стирание) выполняется приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора.

Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («карман») полупроводниковой структуры.

Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения. Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.

Теперь рассмотрим более подробно ячейки памяти с одним и двумя  транзисторами…

 Ячейка памяти с одним транзистором.

Если на управляющий затвор подать положительное напряжения (инициализация ячейки памяти) то он будет находиться в открытом состоянии, что будет соответствовать логическому нулю.

А если на плавающий затвор поместить избыточный отрицательный заряд (электрон) и подать положительное напряжение на управляющий затвор ,то он компенсирует создаваемое управляющим затвором электрическое поле и не даст образовываться каналу проводимости, а значит транзистор будет находиться в закрытом состоянии.

Вот так, наличие или отсутствие заряда на плавающем затворе точно определяет состояние открыт или закрыт транзистор, когда подается одно и тоже положительное напряжения на управляющий затвор. Если мы будем рассматривать подачу напряжения на управляющий затвор, как инициализацию ячейки памяти, то по тому, какое напряжение между истоком и стоком можно судить о наличии или отсутствии заряда на плавающем затворе.

Таким образом получается своеобразная элементарная ячейка памяти, способная сохранять один информационный бит. Ко всему этому очень важно, чтобы заряд на плавающем затворе (если он там имеется) мог сохраняться там долго, как при инициализации ячейки памяти, так и при отсутствии напряжения на управляющем затворе. Только в этом случае ячейка памяти будет энергонезависимой.

Так каким же образом в случае необходимости на плавающий затвор помещать заряд (записывать содержимое ячейки памяти) и удалять его оттуда (стирать содержимое ячейки памяти) когда это необходимо.

Поместить заряд на плавающий затвор (процесс записи) можно методом инжекции горячих электронов (CHE-Channel Hot Electrons) или методом туннелирования Фаулера-Нордхейма.

Если используется метод инжекции горячих электронов, то на сток и управляющий затвор подается высокое напряжение, что придаст электронам в канале энергии, достаточной чтобы преодолеть потенциальный барьер, который создается тонким слоем диэлектрика, и направить (туннелировать) в область плавающего затвора (во время чтения на управляющий затвор подается меньшее напряжение и эффект туннелирования не происходит).

Чтобы удалить заряд с плавающего затвора (выполнить стирания ячейки памяти) на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение (около 9 В), а на область истока подается положительное напряжение. Это приводит к тому, что электроны туннелируют из области плавающего затвора в область истока. Таким образом происходит квантовое туннелирование Фаулера — Нордхейма (Fowler — Nordheim).

Наверно вы уже поняли, что транзистор с плавающим затвором это элементарная ячейка флэш-памяти.  Но ячейки с одним транзистором имеют некоторые недостатки, основным из которых является плохая масштабируемость.

Так как при создании массива памяти, каждая ячейка памяти (то есть транзистор) подключается к двум перпендикулярным шинам. Управляющие затворы подключаются к шине, которую называют линией слов (Word Line), а стоки соединяют с шиной, ее называют битовой линией (Bit Line). В следствии чего в схеме находится высокое напряжение и при записи методом инжекции горячих электронов все линии — слов, битов и истоков нужно разместить на большом расстоянии друг от друга. Это даст нужный уровень изоляции, но отразится на ограничении объема флэш-памяти.

Еще одним недостатком такой ячейки памяти является присутствие эффекта избыточного удаления заряда с плавающего затвора, а он не может компенсироваться процессом записи. В следствии этого на плавающем затворе образуется положительный заряд, что делает неизменным состояние транзистора и он всегда остается открытым.

Ячейка памяти с двумя транзисторами.

Двухтранзисторная ячейка памяти, это модифицированная однотранзисторная ячейка, в которой находится обычный КМОП-транзистор и транзистор с плавающим затвором. В этой структуре обычный транзистор выполняет роль изолятора транзистора с плавающим затвором от битовой линии.

Имеет ли преимущества двухтранзисторная ячейка памяти? Да, ведь с ее помощью можно создавать более компактные и хорошо масштабируемые микросхемы памяти, потому что здесь транзистор с плавающим затвором изолируется от битовой линии. Ко всему прочему, в отличии от однотранзисторной ячейки памяти, где информация записывается методом инжекции горячих электронов, в двухтранзисторной ячейки памяти для записи и стирания информации используется метод квантового туннелирования Фаулера — Нордхейма.  Такой подход дает возможность снизить напряжение, которое необходимо для операции записи. Забегая наперед скажу, что двухтранзисторные ячейки применяются в памяти со структурой NAND.

Устройство флэш-памяти с архитектурой NOR.

Тип этой памяти является источником и неким толчком в развитии всей EEPROM. Ее архитектура была разработана компанией Intel в далеком 1988 году. Как было написано ранее, чтобы получить доступ к содержимому ячейки памяти (инициализировать ячейку), нужно подать напряжение на управляющий затвор.

Поэтому разработчики компании все управляющие затворы подсоединили к линии управления, которая называется линией слов (Word Line). Анализ информации ячейки памяти выполняется по уровню сигнала на стоке транзистора. Поэтому разработчики все стоки транзисторов подсоединили к линии, которая называется линией битов (Bit Line).

Архитектура NOR получила название благодаря логической операции ИЛИ — НЕ (в переводе с английского NOR).  Принцип логической операции NOR заключается в том, что она над несколькими операндами (данные, аргумент операции…) дает единичное значение, когда все операнды равны нулю, и нулевое значение во всех остальных операциях.

В нашем случае под операндами подразумевается значение ячеек памяти, а значит в данной архитектуре единичное значение на битовой линии будет наблюдается только в том случае , когда значение всех ячеек, которые подключены к битовой линии, будут равны нулю (все транзисторы закрыты).

В этой архитектуре хорошо организован произвольный доступ к памяти, но процесс записи и стирания данных выполняется относительно медленно. В процессе записи и стирания применяется метод инжекции горячих электронов. Ко всему прочему микросхема флеш-памяти с архитектурой NOR и размер ее ячейки получается большим, поэтому эта память плохо масштабируется.

Структура шести ячеек NOR Flash

Флеш-память с архитектурой NOR как правило используют в устройствах для хранения программного кода. Это могут быть телефоны, КПК, BIOS системных плат…

Устройство флэш-памяти с архитектурой NAND.

Данный тип памяти был разработан компанией Toshiba. Эти микросхемы благодаря своей архитектуре применяют в маленьких накопителях , которые получили имя NAND (логическая операция И-НЕ). При выполнении операция NAND дает значение нуль только, когда все операнды равны нулю, и единичное значение во всех других случаях.

Как было написано ранее, нулевое значение это открытое состояние транзистора. В следствии этого в архитектуре NAND подразумевается, что битовая линия имеет нулевое значение в том случае, когда все подключенные к ней транзисторы открыты, и значение один, когда хотя бы один из транзисторов закрыт. Такую архитектуру можно построить, если подсоединить транзисторы с битовой линией не по одному (так построено в архитектуре NOR) , а последовательными сериями (столбец из последовательно включенных ячеек).

Данная архитектура по сравнению с NOR хорошо масштабируется потому, что разрешает компактно разместить транзисторы на схеме. Кроме этого архитектура NAND производит запись путем туннелирования Фаулера — Нордхейма, а это разрешает реализовать быструю запись нежели в структуре NOR. Чтобы увеличить скорость чтения, в микросхемы NAND встраивают внутренний кэш.

Как и кластеры жесткого диска так и ячейки NAND группируются в небольшие блоки. По этой причине при последовательном чтении или записи преимущество в скорости будет у NAND. Но с другой стороны NAND сильно проигрывает в операции с произвольным доступом и не имеет возможности работать на прямую с байтами информации.  В ситуации когда нужно изменить всего несколько бит, система вынуждена переписывать весь блок, а это если учитывать ограниченное число циклов записи, ведет к большому износу ячеек памяти.

Структура одного столбца NAND Flash

В последнее время ходят слухи о том, что компания Unity Semiconductor разрабатывает флэш-память нового поколения, которая будет построена на технологии CMOx. Предполагается, что новая память придет на смену флеш-памяти типа NAND и преодолеет ее ограничения, которые в памяти NAND обусловлены архитектурой транзисторных структур. К преимуществам CMOx относят более высокую плотность и скорость записи, а также более привлекательную стоимость. В числе областей применения новой памяти значатся SSD и мобильные устройства. Ну, что же правда это или нет покажет время.

Чтобы более детально донести до Вас всю необходимую информацию я разместил видео ролик по теме.

P.S. Объяснить простым языком технический материал людям которые не представляют как построена архитектура компьютера… очень сложно, но я надеюсь у меня это получилось. Для полной и достоверной информации в этой статье я частично использовал учебную литературу. Надеюсь эта статья была для вас полезной и познавательной. Пока!

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

hobbyits.com

Как продлить жизнь «флэшкам»

Носители информации на основе микросхем флэш-памяти сейчас очень популярны. У многих есть компьютерные флэш-диски в виде брелка с USB-портом, а без карты памяти одного из многочисленных форматов нельзя представить цифровой фотоаппарат или карманный компьютер. Активно оснащаются флэш-памятью мобильные телефоны, плееры и другие переносные устройства. В этой статье мы попытались обобщить типичные для «флэшек» неисправности, а также дать несколько полезных советов, которые помогут снизить риск их поломки.

По практичности «флэшкам» нет равных среди всех сменных носителей. Большой и постоянно растущий объем, высокое быстродействие и надежность хранения данных, компактность, низкое энергопотребление и, наконец, удобство подключения — вот секрет их популярности. Кроме того, эти высокотехнологичные изделия продаются по вполне доступным ценам, которые постоянно снижаются.

Однако ничего идеального в мире не бывает, за все надо платить. В данном случае платить приходится надежностью в эксплуатации. Перечень типовых неисправностей флэш-носителей в порядке убывания их распространенности выглядит так:

  • логические неисправности,
  • механические поломки,
  • электрические и тепловые повреждения,
  • сбой контроллера,
  • износ памяти.

Подробнее остановимся на основных симптомах поломок, методике ремонта и профилактике.

Логические неисправности

Носитель физически исправен, но опознается как пустой или неформатированный, а ранее записанные данные не видны. В этом случае повреждена файловая система, точнее, ее служебные таблицы. Данные обычно остаются на месте, и их можно пытаться восстановить с помощью различных эвристических программ.

Любая эвристика основана на некоторых допущениях, и применительно к флэш-носителям эти допущения не всегда верны. Программы могут в упор не видеть данные, и тогда требуется кропотливая ручная работа. Восстановление цифровых фотографий также зависит от формата данных (JPG, TIFF или RAW) и от прошивки конкретной камеры.

Основная причина неисправности — преждевременное извлечение устройства из разъема или внезапное отключение питания, когда операционная система не успевает обновить файловую систему носителя.

Профилактика: аккуратно завершайте работу с флэш-носителями. В компьютерах и ноутбуках используйте «безопасное извлечение устройства». В ЦФК и другой подобной технике следите за зарядом аккумулятора и выключайте питание не раньше, чем закончится запись на карту.

Механические поломки

«Флэшки» нередко страдают от грубого обращения. Многие флэш-диски имеют непрочный корпус, плату из тонкого текстолита, слабое крепление разъема USB. Карты памяти бывают слабы на изгиб. Механические напряжения создают микротрещины и приводят к нарушению контактов. От ударов и падений страдает кварцевый резонатор. У большинства устройств негерметичный корпус, пропускающий воду.

Ремонт: восстановление контактов, замена деталей. Если треснул чип памяти, то данные потеряны, ремонт не оправдан. К счастью, так бывает редко.  Профилактика: бережно обращайтесь с устройствами, карты памяти храните в футлярах. Выбирайте флэш-диски с прочным, не слишком тонким корпусом; чем больше металла, тем лучше.

Старайтесь не задевать флэш-диск, вставленный в порт USB: вместе с поломкой можно получить замыкание. Если ваш носитель побывал в воде, особенно морской, его лучше сразу отдать специалисту, недостаточная просушка может стать фатальной для данных.

Ни когда не кладите флешки в задний карман брюк.

Электрические и тепловые повреждения

Нестабильное электропитание, а также разряды статики — частая причина неисправности флэш-носителей. Многие модели имеют слабую защиту от перепадов напряжения, и случайные броски выводят их из строя. Нередко к поломке флэш-дисков приводит устаревшая электропроводка: многие компьютеры до сих пор не заземлены. На их корпусе может блуждать потенциал в десятки вольт, а статический заряд стекает куда придется. Все это при совпадении неблагоприятных условий приводит к выгоранию контроллера и элементов обвязки.

Еще одна причина неисправностей — «человеческий фактор». Неопытные сборщики компьютеров умудряются неправильно подключить шлейф USB-порта, идущий от передней панели, к разъему материнской платы. В результате при подключении устройство моментально сгорает.

Проблема нагрева для флэш-дисков не так актуальна, как для жестких дисков. Но и здесь кроется причина поломок. Многие пластиковые корпуса не обеспечивают хорошего теплоотвода, и при активной работе нагруженные детали могут перегреться, выйти из строя и даже проплавить корпус.

Ремонт: замена неисправных деталей, если стоимость запчастей невысока.

Профилактика: обеспечьте компьютерам заземление и качественное питание. Прежде чем вставить флэш-диск в порт USB, коснитесь рукой системного блока. От статики и перегрева хорошо защищены флэш-диски в металлических корпусах. В свете проблем со сборкой, а также из-за меньших наводок надежнее использовать порты USB на материнской плате (для удобства доступа к задней панели поставьте удлинитель).

Сбой контроллера

Контроллер стоит на всех флэш-дисках и многих картах памяти, в некоторых ситуациях (предположительно, сбои по питанию) его прошивка блокируется и не отвечает на запросы операционной системы. В этом случае устройство опознается как Generic Drive с нулевой емкостью, данные обычным путем не доступны. Их можно считать непосредственно с чипа памяти на специальном стенде.

Ремонт: восстановление прошивки контроллера с помощью технологических утилит.

Профилактика: защита от статики, контроль питания.

Износ памяти

Носитель опознается, но читается с ошибками вследствие дефектов на физическом уровне. Флэш-память по своей природе выдерживает ограниченное число перезаписей, причем по мере роста емкости чипов заявленный ресурс снижается: от 1 млн циклов 3-5 лет назад до 100 тысяч в новых моделях.

Казалось бы, в любом случае порог высок и опасаться нечего, но вспомните про файловую систему. Ряд ее служебных полей переписывается при каждом обновлении любого из файлов, именно эти ячейки первыми выходят из строя. Для борьбы с этим явлением применяется технология «выравнивания износа» (wear leveling): часто изменяемые данные перемещаются по адресному пространству флэш-памяти.

Ремонт: низкоуровневое форматирование с сокрытием дефектов.

Профилактика: износ ограничивает срок службы флэш-носителей. При постоянном обновлении данных сбои могут начаться уже через 1-2 года. Экземпляры «со стажем» выводите из эксплуатации или используйте для хранения менее важных данных.

Заключение

Несмотря на описанные проблемы, «флэшки» — удобные и надежные средства хранения и переноса информации. Несложные меры профилактики помогут вам продлить жизнь своим устройствам и избежать большей части неприятностей. А если сбой все же случился — обращайтесь в специализированные сервис-центры. Ремонтные технологии, лишь частично раскрытые здесь, позволяют добиваться успеха в 90% случаев.

R.LAВ восстановление данных флэш

4pda.ru


Смотрите также